สําหรับแบรนด์ EV ที่ผลักดันสถาปัตยกรรม 800 V this CTE matching at the material level reduces the need for aggressive derating and allows engineers to unlock more power margin in the same package size while maintaining reliability over the vehicle warranty period.
เมื่อการย้ายจาก 400 V ไป 800 V มันไม่เพียงพอที่จะมุ่งเน้นเฉพาะตัวแปรเมตรของอุปกรณ์ SiC การเลือก substrate ต้องพิจารณาใหม่ความน่าเชื่อถือของอินเตอร์เฟซและผลประกอบการทางความร้อนที่ประเมินด้วยกัน.